近日，intel（英特爾）發(fā)布了SSD DC P4510系列固態(tài)硬盤，針對數(shù)據(jù)中心企業(yè)級用戶，采用自家64層 TLC 3D NAND，提供U.2和EDSFF“直尺形”兩種不同規(guī)格，擁有低延遲、高速表現(xiàn)和超耐久度，能滿足企業(yè)服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、云儲(chǔ)存等平臺需求。據(jù)悉，英特爾DC P4510系列將于近期開始陸續(xù)出貨，暫未透露具體售價(jià)，提供5年質(zhì)保。
英特爾DC P4510系列提供常規(guī)2.5英寸U.2 與 “直尺形” EDSFF兩種規(guī)格（為便于消費(fèi)者區(qū)分，型號特意改為P4511），分別走PCIe NVMe 3.0 x4與SFF-TA-1002 "Gen-Z" ，均提供1TB/2TB/4TB/8TB四種容量可選，最高連續(xù)讀寫分別為3200MB/s 和3000MB/s，4K隨機(jī)讀寫分別為637000 IOPS和139000 IOPS，讀寫延遲分別為9μs和11μs，平均無故障運(yùn)行時(shí)間200萬小時(shí)，寫入耐用性為1DWPD。
為了加快P4510系列固態(tài)硬盤的存取性能并簡化管理過程，英特爾還同步推出了兩項(xiàng)“新”技術(shù)，利用軟硬件共同協(xié)作方式來取代傳統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備，可在XEON至強(qiáng)平臺中啟用虛擬設(shè)備管理器（VMD）來實(shí)現(xiàn)固態(tài)硬盤熱插拔更換與標(biāo)準(zhǔn)化管理，縮短新舊設(shè)備替換時(shí)間，并協(xié)助用戶更快速地識別固態(tài)盤狀態(tài)。另外，還支持VROC (NVMe RAID) 技術(shù)，在脫離傳統(tǒng)陣列卡的情況下，就能實(shí)現(xiàn)IOP性能暴漲，而且可節(jié)省高達(dá)70％設(shè)備采購成本。
另外，稍后英特爾還將推出M.2 2210版本，性能表現(xiàn)同樣不俗，而專為1U機(jī)架設(shè)計(jì)的DC P4511可依照用戶要求靈活改變長度、接口類型（PCIe x4/x8/x16）、容量（最高1PB）以及熱插拔艙門位置，以達(dá)到更優(yōu)異的數(shù)據(jù)訪問/寫入效能和更低的維護(hù)保養(yǎng)成本。
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